삼성전자, 세계 최초 3나노 파운드리 양산

□ Gate-All-Around(GAA) 차세대 트랜지스터 기술 최초 상용화
- 나노시트 활용한 독자적 GAA 기술(MBCFET)로 전력효율·성능 극대화
- 3나노 1세대는 5나노보다 전력 45%↓ 성능 23%↑ 면적 16%↓ 향상
□ 고성능·저전력 HPC용 시스템 반도체, 모바일 SoC 등 적용 확대
□ 고객 요구에 최적화된 성능/전력/면적 특성 제공…차세대 파운드리 서비스 주도
□ Design ECO 파트너와 검증된 3나노 설계 인프라 제공

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